赛晶发布i20系列1700V IGBT芯片组和ST封装IGBT模块

　　赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司（以下简称：赛晶）举行线上新产品发布会，正式推出最新研发成果：i20系列1700V IGBT芯片组、ST封装IGBT模块。

　　1700V是IGBT的主流电压等级之一，广泛应用于风力发电、无功补偿（SVG）、智能电网，以及中高压变频器等领域。

　　赛晶i20系列1700V IGBT芯片组，基于经典的沟槽栅及场截止芯片结构，并采用了窄台面、优化N-型增强层、短沟道、3D结构、优化P+层等多项行业前沿理念的优化设计，具有大功率、低损耗、高可靠性等卓越的芯片性能，代表了国内同类芯片技术的最高水平。

　　已经发布的首款IGBT模块（ED封装IGBT模块），目前已经向电动汽车、新能源发电、工控等领域的多家行业领先客户批量供货，并以卓越的性能和表现广受好评。本次发布会上，赛晶发布了第二款工业级模块产品- ST封装IGBT模块。该模块，采用行业标准外形设计（62mm），具有极佳的通用性，是工业级IGBT模块中的主流型号之一。特别是在光伏发电、低压变频器、UPS电源、电机驱动、数控机床等领域，ST封装IGBT模块具有广泛的市场需求。

　　ST封装IGBT模块，采用优化布局、三维信号传输等创新设计（已申请专利）实现了出色的模块性能：同类产品中最低的内部热阻、连接阻抗、内部杂散电感等。ST封装IGBT模块，是赛晶打造精品国产IGBT模块战略的最新成果。

　　本次发布会还介绍了正研发中的两款车规级SiC模块：HEEV封装和EVD封装SiC MOSFET模块。HEEV封装的创新设计，能最大限度的发挥SiC模块的出色性能。EVD封装将推出SiC MOSFET和Si IGBT两个版本，可以满足汽车市场不同需求。